GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
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基本信息
| 标准名称： | 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 |
| 英文名称： | Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 替代情况： | 替代GB/T 14141-1993 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 1993-02-06 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203) |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心 |
| 起草人： | 李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 12页 |
| 计划单号： | 20065624-T-469 |
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
前言
没有内容
目录
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引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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